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　　机构(gòu )称政策加速(sù )推进下固态电池正(zhèng )进入从0到1阶(jiē )段(duàn )

　　根据CFM闪(shǎn )存市(shì )场报道，现货(huò )旧制程DRAM资源(yuán )供应缺货涨(zhǎng )价延续，存储厂商(shāng )针对渠道内(nèi )存条、行业内存条(tiáo )及LPDDR4X等产品现(xiàn )货价格坚定(dìng )持(chí )报涨态度。甬兴(xìng )证券研报称(chēng )，受益于供应(yīng )端推动涨价、库存(cún )逐渐回归正(zhèng )常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业(yè )链有望探底(dǐ )回升。

　　媒体报道，近日，半导体个股(gǔ )密(mì )集获连续上(shàng )调评(píng )级。据统计，截至6月18日，在评级机构(gòu )家数5家及以上的个(gè )股中，以机(jī )构一致评级连续3个(gè )月环比提升(shēng )，最新评级(jí )较(jiào )3个月前提升(shēng )幅度(dù )超6%为条件进(jìn )行(háng )统计，21股浮(fú )出水面。从21只潜力(lì )股所处行业(yè )分布来看，半导体行业个股相(xiàng )对较多，盛(shèng )科通信-U、清(qīng )溢光电、思瑞浦、汇顶科技机(jī )构(gòu )一致评级连(lián )续3个(gè )月环比提升且(qiě )最新一致评(píng )级较3月前提(tí )升幅度超6%。

　　媒(méi )体报道，近(jìn )期，多家企业陆续(xù )披露了其在(zài )固态电池领(lǐng )域(yù )的最新进展(zhǎn )和量(liàng )产时间。业(yè )界(jiè )认为，凭借(jiè )高能量密度、高安(ān )全性和快速(sù )充电能力，固态电池有望成为(wéi )下一代电池(chí )的主流技术(shù )路线之一。随着技(jì )术研发与成(chéng )本(běn )瓶颈不断突(tū )破，固态电池的产(chǎn )业化进程正(zhèng )在加速，未(wèi )来有望在低空经济(jì )、机器人、新能源汽车等多重(chóng )场景得到广(guǎng )泛应用。

　　机构称三星(xīng )减少(shǎo )DDR4供应，DDR4可能(néng )供(gòng )不应求到第(dì )3季度

　　上市公司(sī )中，天岳先(xiān )进碳化硅衬(chèn )底可广泛应用于电(diàn )动汽车、AI数(shù )据中心、光(guāng )伏系统、AI眼镜、轨(guǐ )道交通、电(diàn )网(wǎng )、家电及先(xiān )进通(tōng )信基站等领域(yù )。公司已跻(jī )身为国际知(zhī )名半导体公司的重(chóng )要供应商，公司的产品亦在国(guó )际上获得广(guǎng )泛认可。芯(xīn )联(lián )集成8英寸碳(tàn )化硅(guī )产线顺利推(tuī )进(jìn )中，相关产(chǎn )品已陆续通过相关(guān )验证，预计(jì )下半年开始(shǐ )量产。英诺激光依(yī )托固体及超(chāo )快激光器优(yōu )势(shì )，主要布局消费(fèi )电子、3D打印(yìn )、生物医疗、光伏(fú )、Micro LED、半导体等(děng )行业。在半(bàn )导体领域提(tí )供的主要产品为碳(tàn )化硅退火制(zhì )程的激光器，客户(hù )以国外知名(míng )半导体装备(bèi )公(gōng )司为主。

　　智(zhì )能算力规模(mó )的(de )快速增长直(zhí )接催生了对高效散(sàn )热技术的迫(pò )切需求。国(guó )泰海通证券表示，AI算力需求快(kuài )速增长，数(shù )据(jù )中心液冷有望加(jiā )速发展。随(suí )着(zhe )AI应用快速发(fā )展，算力密度提升(shēng )，算力设备(bèi )、数据中心(xīn )机柜对散热需求大(dà )幅增长，液(yè )冷技术加速导入。国信证券认(rèn )为，AI时代，算(suàn )力芯片功率(lǜ )持续(xù )提升，设备(bèi )功(gōng )率密度触及(jí )传统风冷降温方式(shì )极限，液冷(lěng )技术应用大(dà )势所趋。当前阶段(duàn )，液冷应用(yòng )主要采用冷(lěng )板(bǎn )式技术；浸没式(shì )方案是长期(qī )发(fā )展方向。同(tóng )时，国内PUE考核趋严(yán )，运营商液(yè )冷白皮书规(guī )划有望进一步加速(sù )国内液冷应(yīng )用。

　　相较于硅(guī )基半导体，以碳化硅和(hé )氮(dàn )化镓为代表(biǎo )的宽(kuān )禁带半导体在(zài )材料端至器(qì )件端的性能优势突(tū )出，具备高(gāo )频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特(tè )点，是未来(lái )半(bàn )导体行业发展的(de )重要方向。其(qí )中，碳化硅(guī )的高禁带宽度、高(gāo )击穿电场强(qiáng )度、高电子(zǐ )饱和漂移速率和高(gāo )热导率等特(tè )性，使其在电力电子器件等应(yīng )用中发挥着(zhe )至(zhì )关重要的作(zuò )用。碳化硅材料在(zài )功率半导体(tǐ )器件、射频半导体器件及新兴(xìng )应用领域具(jù )有广阔的市场应用(yòng )潜力。光大(dà )证券指出，随(suí )着AI数据中心、AR眼(yǎn )镜等行业的(de )增(zēng )长，碳化硅(guī )行业将随之快速增(zēng )长。国内碳(tàn )化硅衬底企(qǐ )业持续投资扩张产(chǎn )能，有望持(chí )续扩大市场份额。

　　行业媒(méi )体报道，三(sān )星(xīng )SDI正在天安工(gōng )厂建(jiàn )设的试验生产(chǎn )线“DryEV”上启(qǐ )动基于干法电极的电池验证工(gōng )作，公司此(cǐ )前已完成实验室性(xìng )能测试。三(sān )星SDI正在考虑(lǜ )将(jiāng )干法电极技术应(yīng )用于全固态(tài )电(diàn )池，计划将(jiāng )其作为降低制造成(chéng )本、提升设(shè )备效率和量(liàng )产速度的竞争手段(duàn )。

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