鸿特科技拟配股募资 近6年2年亏损4年扣非未超0.18亿
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      电极制作可(kě )采用湿法和干(gàn )法工(gōng )艺,目前行(háng )业多采用湿法(fǎ )涂浆方式制(zhì )作电(diàn )极,近年干法(fǎ )工艺成为行(háng )业发展趋势。东方证券认为,设备是规模(mó )量产(chǎn )的基石,有望(wàng )成为降本突(tū )破口。通过拆(chāi )解固态电池核心(xīn )制造工艺发现(xiàn ):干法工艺(yì )不仅(jǐn )是电池降本的(de )有效手段,也是天然适(shì )配全(quán )固态电池的制(zhì )片工艺;等(děng )静压的材料致(zhì )密化(huà )能力或可迁(qiān )移至固态电池(chí )中,改善孔(kǒng )隙率(lǜ )与电极/电解质(zhì )的界面复合(hé )问题;叠片在固态电池装配工(gōng )艺中有望成(chéng )为主(zhǔ )流,而设(shè )备精(jīng )度要求大幅(fú )提升。全固态(tài )电池获得全产业(yè )链的共同关注(zhù )与合力布局(jú ),方(fāng )向性与趋势性(xìng )明确。当前(qián )工艺设备成(chéng )熟度(dù )不足成为固态(tài )电池产业化(huà )的主要桎梏之(zhī )一,掌握核心设(shè )备供应能力的(de )厂商有望受(shòu )益。

      这类半导(dǎo )体材料性能(néng )优势突出,是未来行业发展的(de )重要方向

      结(jié )合之前设(shè )立数(shù )字人民币国(guó )际运营中心的(de )举措,西部证券(quàn )金融团队认为(wéi ),跨境支付(fù )新业(yè )态或能加速成(chéng )型,进而助(zhù )力银行接入(rù )全球(qiú )清算网络、分(fèn )享人民币国(guó )际化红利,扩(kuò )充人(rén )民币离岸业(yè )务规模,挖掘(jué )利润新增长(zhǎng )点。开源证券计算(suàn )机团队认为(wéi ),内地与香港跨境(jìng )支付通正式(shì )上线,有利(lì )于提(tí )升两地跨(kuà )境支(zhī )付效率和服(fú )务水平,重视(shì )跨境支付机会。

      全球首例(lì )!我国介入(rù )式脑(nǎo )机接口成功实(shí )现人体患肢(zhī )运动功能修(xiū )复

      公司方面,德明利主营(yíng )业务及技术布(bù )局主(zhǔ )要集中于通(tōng )用型存储芯片(piàn )及解决方案(àn )的研(yán )发与产业化,包括但不限(xiàn )于DDR、LPDDR、SSD等产品方向(xiàng )。好上好目(mù )前销售的存(cún )储芯(xīn )片主要有(yǒu )晶豪(háo )(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易创(chuàng )新)、Giantec(聚辰)、ISSI、江(jiāng )波龙(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天(tiān )下(XTX)、得一微(wēi ) (YEESTOR)等品(pǐn )牌的DRAM、eMMC、FLASH等存(cún )储器。

      根据CFM闪存市(shì )场报(bào )道,现货旧制(zhì )程DRAM资源供应(yīng )缺货涨价延续(xù ),存(cún )储厂商针对(duì )渠道内存条、行业内存条(tiáo )及LPDDR4X等(děng )产品现货价格(gé )坚定持报涨(zhǎng )态度。甬兴证券研(yán )报称,受益(yì )于供应端推(tuī )动涨(zhǎng )价、库存(cún )逐渐(jiàn )回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求(qiú )上升,产业链有(yǒu )望探底回升。

      产能释(shì )放叠(dié )加规模化效应(yīng ),这类材料(liào )应用场景不(bú )断拓(tuò )展

      相较于(yú )硅基半导体(tǐ ),以碳化硅和(hé )氮化(huà )镓为代表的(de )宽禁带半导体(tǐ )在材料端至(zhì )器件(jiàn )端的性能优势(shì )突出,具备(bèi )高频、高效、高功(gōng )率、耐高压(yā )、耐高温等(děng )特点(diǎn ),是未来(lái )半导(dǎo )体行业发展(zhǎn )的重要方向。其中,碳化硅的(de )高禁带宽度、高击穿电场(chǎng )强度(dù )、高电子饱和(hé )漂移速率和(hé )高热导率等(děng )特性(xìng ),使其在电力(lì )电子器件等(děng )应用中发挥着(zhe )至关(guān )重要的作用(yòng )。碳化硅材料(liào )在功率半导(dǎo )体器(qì )件、射频半导(dǎo )体器件及新(xīn )兴应用领域具有广(guǎng )阔的市场应(yīng )用潜力。光(guāng )大证(zhèng )券指出,随着(zhe )AI数据中心、AR眼镜等行业的(de )增长,碳化硅行(háng )业将随之快速(sù )增长。国内(nèi )碳化(huà )硅衬底企业持(chí )续投资扩张(zhāng )产能,有望持续(xù )扩大市场份额(é )。

      上市(shì )公司中,中洲(zhōu )特材(cái )是核电公司(sī )的上游供应商(shāng ),生产的阀门、焊材等产品已(yǐ )为中核、中(zhōng )广核、国核等核电(diàn )设施配套。国光电气在(zài )互动(dòng )易表示超导材(cái )料作为磁约(yuē )束可控核聚变(biàn )装置的一项关键(jiàn )材料,其进步(bù )将有力的推(tuī )动磁(cí )约束可控核聚(jù )变工程化进(jìn )度。公司所研制的偏滤器、第(dì )一壁等产品(pǐn )是可控核聚变(biàn )装置(zhì )的核心零部(bù )件。

      得益(yì )于政策利好与技(jì )术突破的双轮(lún )驱动,未来(lái )3年至5年,脑机接口(kǒu )医疗产品有(yǒu )望迎来爆发(fā )期。太平洋证券分(fèn )析指出,脑(nǎo )机接口技术近(jìn )年来从实验室研(yán )究大步迈向市(shì )场应用,展(zhǎn )现出(chū )蓬勃发展态势(shì )。当下,侵(qīn )入式和非侵入式产品研发均有(yǒu )序推进。尽(jìn )管该技术仍处(chù )于早(zǎo )期发展阶段(duàn ),但研发和应(yīng )用潜力巨大;随(suí )着技术的迭代(dài )和伦理规范(fàn )的健全完善,脑机(jī )接口有望让(ràng )科技之光加(jiā )速照(zhào )进现实。

  • 精品日韩
  • 2026-01-20

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  公司方面,德明利主营(yíng )业务及技术布(bù )局主(zhǔ )要集中于通(tōng )用型存储芯片(piàn )及解决方案(àn )的研(yán )发与产业化,包括但不限(xiàn )于DDR、LPDDR、SSD等产品方向(xiàng )。好上好目(mù )前销售的存(cún )储芯(xīn )片主要有(yǒu )晶豪(háo )(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易创(chuàng )新)、Giantec(聚辰)、ISSI、江(jiāng )波龙(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天(tiān )下(XTX)、得一微(wēi ) (YEESTOR)等品(pǐn )牌的DRAM、eMMC、FLASH等存(cún )储器。

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  相较于(yú )硅基半导体(tǐ ),以碳化硅和(hé )氮化(huà )镓为代表的(de )宽禁带半导体(tǐ )在材料端至(zhì )器件(jiàn )端的性能优势(shì )突出,具备(bèi )高频、高效、高功(gōng )率、耐高压(yā )、耐高温等(děng )特点(diǎn ),是未来(lái )半导(dǎo )体行业发展(zhǎn )的重要方向。其中,碳化硅的(de )高禁带宽度、高击穿电场(chǎng )强度(dù )、高电子饱和(hé )漂移速率和(hé )高热导率等(děng )特性(xìng ),使其在电力(lì )电子器件等(děng )应用中发挥着(zhe )至关(guān )重要的作用(yòng )。碳化硅材料(liào )在功率半导(dǎo )体器(qì )件、射频半导(dǎo )体器件及新(xīn )兴应用领域具有广(guǎng )阔的市场应(yīng )用潜力。光(guāng )大证(zhèng )券指出,随着(zhe )AI数据中心、AR眼镜等行业的(de )增长,碳化硅行(háng )业将随之快速(sù )增长。国内(nèi )碳化(huà )硅衬底企业持(chí )续投资扩张(zhāng )产能,有望持续(xù )扩大市场份额(é )。

  上市(shì )公司中,中洲(zhōu )特材(cái )是核电公司(sī )的上游供应商(shāng ),生产的阀门、焊材等产品已(yǐ )为中核、中(zhōng )广核、国核等核电(diàn )设施配套。国光电气在(zài )互动(dòng )易表示超导材(cái )料作为磁约(yuē )束可控核聚变(biàn )装置的一项关键(jiàn )材料,其进步(bù )将有力的推(tuī )动磁(cí )约束可控核聚(jù )变工程化进(jìn )度。公司所研制的偏滤器、第(dì )一壁等产品(pǐn )是可控核聚变(biàn )装置(zhì )的核心零部(bù )件。

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